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參數資料
| 型號： | MPSA64 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Darlington Transistor(PNP達林頓晶體管) |
| 中文描述： | 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | MPSA64 |
M
PNP Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high
current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61.
MMBTA64
MPSA64
PZTA64
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
30
30
10
1.2
V
V
V
A
°
C
-55 to +150
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSA64
625
5.0
83.3
200
*MMBTA64
350
2.8
**PZTA64
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
357
125
CBE
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 2V
B
C
C
SOT-223
E
Discrete POWE R & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
A64, Rev A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA65 | PNP Darlington Transistor(PNP達林頓晶體管) |
| MPSH34 | NPN General Purpose Amplifier |
| MPSH81 | PNP RF Transistor |
| MPSW3725 | NPN Transistor |
| MPSW56 | PNP General Purpose Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MPS-A64 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILCON DARLINGTON TRANSISTORS |
| MPSA64,116 | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA64_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Darlington Transistor |
| MPSA64_D74Z | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MPSA64_D75Z | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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