參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA13D26Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大小： 843K
代理商： MPSA13D26Z
MPSA13
/
MMBT
A13
/
PZT
A13
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CES
Collector-Em itter Breakdown
Voltage
IC = 100
A, IB = 0
30
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Em itter-Cutoff Current
VEB = 10 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
5,000
10,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
1.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
2.0
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2.0%
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 10 V,
f = 100 MHz
125
MHz
NPN Darlington Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA13D87Z 1200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MPSA13J05Z 1200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA14J18Z 1200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MPSA14D74Z 1200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
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MPSA13DB 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP
MPSA13DC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | CHIP
MPSA13G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPSA13G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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