參數(shù)資料
型號(hào)： MPSA06
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors(NPN通用放大器)
中文描述： 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： MPSA06
(NPN) MPSA05, MPSA06*, (PNP) MPSA55, MPSA56*
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 2)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
MPSA05, MPSA55
MPSA06, MPSA56
V
(BR)CEO
60
80
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 100 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 60 Vdc, I
B
= 0)
I
CES
0.1
Adc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 60 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0)
MPSA05, MPSA55
MPSA06, MPSA56
I
CBO
0.1
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
h
FE
100
100
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 10 mAdc)
V
CE(sat)
0.25
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
V
BE(on)
1.2
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product (Note 3)
(I
C
= 10 mA, V
CE
= 2.0 V, f = 100 MHz)
MPSA05
MPSA06
MPSA55
MPSA56
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
100
50
MHz
2. Pulse Test: Pulse Width
3. f
T
is defined as the frequency at which |h
fe
| extrapolates to unity.
300 s, Duty Cycle
2%.
Figure 1. Switching Time Test Circuits
OUTPUT
TURNON TIME
1.0 V
V
CC
+40 V
R
L
* C
S
6.0 pF
R
B
100
100
V
in
5.0 F
t
r
= 3.0 ns
0
+10 V
5.0 s
OUTPUT
TURNOFF TIME
+V
BB
V
CC
+40 V
R
L
* C
S
6.0 pF
R
B
100
100
V
in
5.0 F
t
r
= 3.0 ns
5.0 s
*Total Shunt Capacitance of Test Jig and Connectors For PNP Test Circuits, Reverse All Voltage Polarities
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA18 Low Noise Transistor NPN Silicon(NPN低噪聲晶體管)
MPSA29 Darlington Transistors NPN Silicon(NPN達(dá)林頓晶體管)
MPSA42 High Voltage Transistors NPN Silicon(NPN高電壓放大器)
MPSA44 High Voltage Transistor(高壓晶體管)
MPSA64 Darlington Transistors PNP Silicon(PNP達(dá)林頓晶體管)
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參數(shù)描述
MPS-A06 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06 T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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