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參數(shù)資料
| 型號： | MPSA06 |
| 廠商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | Small Signal Transistors(NPN)(小信號晶體管（NPN）) |
| 中文描述： | 小信號晶體管（NPN）的（小信號晶體管（NPN）的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | MPSA06 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOL
MIN.
.MAX.
UNIT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
at I
C
= 1 mA, I
B
= 0
V
(BR)CEO
80
–
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
at I
E
= 100
μ
A, I
C
= 0
V
(BR)EBO
4.0
–
V
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 60 V, I
B
= 0
I
CES
–
100
nA
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
I
CBO
–
100
nA
Collector Saturation Voltage
at I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
V
CEsat
–
0.25
V
Base-Emitter On Voltage
at I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
V
BE(on)
–
1.2
V
DC Current Gain
at V
CE
= 1 V, I
C
= 10 mA
at V
CE
= 1 V, I
C
= 100 mA
h
FE
h
FE
100
100
–
–
–
–
Gain-Bandwidth Product
at V
CE
= 2.0 V, I
C
= 10 mA, f = 100 MHz
f
T
100
–
MHz
1)
Valid provided that leads are kept at ambient temperature
MPSA06
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