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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPSA06-STYLE-G |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | MPSA06-STYLE-G |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13004UA | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13005T | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE13006AF | 8 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MPS2369/D81Z | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS8099 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPSA06STZ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.5A 80V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06T93 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DRVR NPN 80V .5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPSA06ZL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MPSA09 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92 NPN50V .05A .310W EBC |
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