參數(shù)資料
型號： MPSA05ZL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 32/36頁
文件大?。?/td> 385K
代理商： MPSA05ZL1
NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
2–623
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 14. MPSA05/06 Collector Saturation
Region
Figure 15. MPSA55/56 Collector Saturation
Region
Figure 16. MPSA05/06 Base–Emitter
Temperature Coefficient
Figure 17. MPSA55/56 Base–Emitter
Temperature Coefficient
100
500
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
10
0.05
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
TJ = 25°C
R
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
10
RqVB for VBE
q
°
R
VB
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
q
°
50
IC =
100 mA
IC =
50 mA
IC =
250 mA
IC =
500 mA
IC =
10 mA
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
1.0
2.0
5.0
20
50
200
20
2.0
5.0
0.2
0.5
–100
–500
–0.5
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–2.4
–2.8
–10
RqVB for VBE
–1.0 –2.0
–5.0
–20
–50
–200
–0.1
–10
–0.05
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
–1.0
TJ = 25°C
–50
IC =
–100 mA
IC =
–50 mA
IC =
–250 mA
IC =
–500 mA
IC =
–10 mA
–20
–2.0
–5.0
–0.2
–0.5
Figure 18. MPSA05, MPSA06, MPSA55 and MPSA56 Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k
100 k
0.03
0.02
0.1
0.07
0.05
0.01
0.3
0.2
1.0
0.7
0.5
r(t),
NORMALIZED
TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
Z
θJC(t) = r(t) RθJC
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC(t)
Z
θJA(t) = r(t) RθJA
TJ(pk) – TA = P(pk) Z
θJA(t)
D CURVES APPLY FOR
POWER PULSE TRAIN
SHOWN READ TIME AT t1
(SEE AN469)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
P(pk)
D = 0.5
0.2
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA06ZL1 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA05RL1 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA55RLRE 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA56RL 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA05RLRE 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPSA06 功能描述:兩極晶體管 - BJT Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS-A06 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全稱:Micro Electronics 功能描述:COMPLEMENTRAY SILICON AF MEDIUM POWER TRANSISTORS
MPSA06 T/R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MPSA06,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPSA06,126 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP AMMO RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*