參數(shù)資料
型號(hào): MPS6725RLRP
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
中文描述: 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 66K
代理商: MPS6725RLRP
MPS6724, MPS6725
http://onsemi.com
3
500
5.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
200 k
100 k
70 k
50 k
I
B
, BASE CURRENT ( A)
5.0
50
2.0
1.0
0.5
hF
,
VC
20 k
30
10
20
100
200
10
20
0.5
1.0 2.0
1.5
2.5
3.0
0.1
0.2
100
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
I
C
=
50 mA
I
C
=
10 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
250 mA
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector Saturation Region
7.0
70
50
300
10 k
7.0 k
5.0 k
2.0 k
30 k
3.0 k
V
CE
= 5.0 V
55
°
C
25
°
C
500
200
1000
1.0
5.0
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
1.0
0.8
0.6
0.2
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.04
10
20
7.0
5.0
2.0
2.0
,
hF
10
500
20
4.0
0.1
40
1.0
3.0
C
T
J
= 25
°
C
C
obo
C
ibo
V
CE
= 5.0 V
T
J
= 25
°
C
f = 100 MHz
100
500
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.6
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
200
V
5.0
10
20
50
T
J
= 25
°
C
100
500
5.0
200
7.0 10
20
50
VB
FOR V
BE
°
,
V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
V
BE(on)
@ V
CE
= 5.0 V
Figure 4. “ON” Voltages
Figure 5. Temperature Coefficients
Figure 6. High Frequency Current Gain
Figure 7. Capacitance
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 1000
7.0
300
30
70
300
30
70
*
VC
FOR V
CE(sat)
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
25
°
C TO 125
°
C
55
°
C TO 25
°
C
*APPLIES FOR I
C
/I
B
h
FE
/3.0
0.2
0.4
2.0
4.0
20
10
0.4
50
100
200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS6725RLRPG One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
MPSA20G Amplifier Transistor NPN Silicon
MPSA28G Darlington Transistors NPN Silicon
MPSA28RLRP Darlington Transistors NPN Silicon
MPSA28RLRPG Darlington Transistors NPN Silicon
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS6725RLRPG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 1A 50V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MPS6726 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6726_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:One Watt Amplifier Transistors
MPS6726G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6727 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2