參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6725G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： One Watt Darlington Transistors NPN Silicon
中文描述： 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-05, TO-226AE, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 66K
代理商： MPS6725G
MPS6724, MPS6725
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 1)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
MPS6724
MPS6725
V
(BR)CES
40
50
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 Adc, I
E
= 0)
MPS6724
MPS6725
V
(BR)CBO
50
60
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage
(I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
12
Vdc
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 40 Vdc, I
E
= 0)
MPS6724
MPS6725
I
CBO
100
100
nAdc
Emitter Cutoff Current
(V
EB
= 10 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
DC Current Gain
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
(I
C
= 1000 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
h
FE
25,000
4,000
40,000
CollectorEmitter Saturation Voltage
(I
C
= 1000 mAdc, I
B
= 2.0 mAdc)
V
CE(sat)
1.5
Vdc
BaseEmitter On Voltage
(I
C
= 1000 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc)
V
BE(on)
2.0
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 200 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
f
T
100
1000
MHz
CollectorBase Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
1. Pulse Test: Pulse Width
C
cb
10
pF
300 s; Duty Cycle
2.0%.
TYPICAL CHARACTERISTICS
1.5
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3.0 k
2.0 k
1.0 k
500
200
20
IC
2.0
5.0
30
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
10
T
A
= 25
°
C
T
C
= 25
°
C
1.0 ms
1.0 s
100 s
Figure 1. Active Region — Safe Operating Area
DUTY CYCLE
≤
10%
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PDF描述
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