參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6601RLRAG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 87K
代理商： MPS6601RLRAG
MPS6601, MPS6602 (NPN) MPS6651, MPS6652 (PNP)
http://onsemi.com
4
Figure 3. MPS6601/6602 DC Current Gain
Figure 4. MPS6651/6652 DC Current Gain
Figure 5. Current Gain Bandwidth Product
Figure 6. Current Gain Bandwidth Product
Figure 7. On Voltages
Figure 8. On Voltages
100
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
10
200
100
70
50
20
100
1000
10
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
100
70
50
30
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
10
300
200
100
70
50
30
200
200
10
1000
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1000
1.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
100
T
J
= 25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 1.0 V
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 1.0 V
T
J
= 25
°
C
V
CE
= 10 V
T
J
= 25
°
C
f = 30 MHz
V
CE
= 10 V
T
J
= 25
°
C
f = 30 MHz
fT
V
V
NPN
PNP
V
BE(SAT)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(SAT)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(ON)
@ V
CE
= 1.0 V
V
BE(SAT)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(SAT)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(ON)
@ V
CE
= 1.0 V
fT
F
h
h
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MPS6602RLRA Amplifier Transistors
MPS6602RLRAG Amplifier Transistors
MPS6651G Amplifier Transistors
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參數(shù)描述
MPS6602 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS66-1000 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 6P6C SHIELDED RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類(lèi)別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級(jí):
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