參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6601G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 1000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商： MPS6601G
MPS6601, MPS6602 (NPN) MPS6651, MPS6652 (PNP)
http://onsemi.com
6
Figure 15. BaseEmitter Temperature
Coefficient
Figure 16. BaseEmitter Temperature
Coefficient
Figure 17. Safe Operating Area
Figure 18. Safe Operating Area
Figure 19. MPS6601/6602 Saturation Region
Figure 20. MPS6651/6652 Saturation Region
100
1000
1.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1000
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
10
1.0
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE
500
200
100
50
20
10
V
CE
, COLLECTOREMITTER VOLTAGE
10
40
1.0
500
200
100
50
20
10
20
20
0.1
10
0.01
I
B
, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.1
100
0.01
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
1.0
T
J
= 25
°
C
RV
IC
NPN
PNP
10
R
VB
for V
BE
°
RV
°
10
0.8
R
VB
for V
BE
2.0
5.0
1 k
2.0
5.0
40
1 k
IC
10
100
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
250 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
1000 mA
I
C
=
10 mA
T
J
= 25
°
C
I
C
=
100 mA
I
C
=
50 mA
I
C
=
250 mA
I
C
=
500 mA
I
C
=
1000 mA
I
C
=
10 mA
1.0 MS
1.0 s
T
C
= 25
°
C
MPS6601
MPS6602
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
1.0 MS
1.0 s
T
C
= 25
°
C
MPS6651
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
MPS6652
,
VC
,
VC
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PDF描述
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參數(shù)描述
MPS6601RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6601RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 25V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6602RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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