參數(shù)資料
型號(hào)： MPS6562
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PNP (AUDIO TRANSISTOR)
中文描述： 進(jìn)步黨（音頻晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 11/15頁(yè)
文件大小： 500K
代理商： MPS6562
TO-263 / D
2
PAK
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
1
2
3
4
PIN 1
PIN 3
PIN 2 & 4
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Min
9.65
Max
10.69
14.60
15.88
0.51
1.14
2.29
2.79
4.37
4.83
1.14
1.40
1.14
1.40
8.25
9.25
0.30
0.64
2.03
2.92
2.29
2.79
A
B
E
G
J
L
M
N
P
K
S
M
H
R
D
C
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
3.20
Max
3.50
4.59
5.16
20.80
21.30
19.70
20.20
2.10
2.40
0.51
0.76
15.90
16.40
1.70
3.10
3.30
3.50
2.70
4.51
5.20
5.70
1.12
1.22
2.90
3.30
11.70
12.80
4.30 Typical
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
J
G
H H
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
B
J
R
Case
-
-
+
Case Positive
Case Negative
TO-220AB
TO-220AC
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
Max
14.22
15.88
9.65
10.67
2.54
3.43
5.84
12.70
6.86
6.35
14.73
2.29
2.79
0.51
3.53
3.56
1.14
4.09
4.83
1.14
1.40
0.30
0.64
2.03
2.92
4.83
5.33
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
P
Min
Max
6.3
6.7
10
0.3
0.8
2.3 Nominal
2.1
2.5
0.4
0.6
1.2
1.6
5.3
5.7
0.5 Nominal
1.3
1.8
1.0
5.1
5.5
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
P
4
1
2
3
TO-252 / DPAK
SOT-143
Min
Dim
Max
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
S
2.80
3.04
1.20
1.40
0.80
1.20
0.37
0.46
0.76
0.89
1.92 BSC
1.72 BSC
0.085
0.130
0.051
0.127
0.25
0.55
1.00
1.69
2.10
2.64
All Dimensions in mm
E
K
L
J
B
S
D
C
TOP VIEW
A
M
G
H
SOT-343 / SOT-143
D
E
C
B
J
R
TO-220AC-P
H
R
TO-3P
TO-3P-P
P.30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPSA26 Mini size of Discrete semiconductor elements
MPSA27 300,000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
MPS6562 Mini size of Discrete semiconductor elements
MPSA27 300,000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
MPSA18 200000 SYSTEM GATE 1.8 VOLT FPGA - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
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MPS6562_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6562_D26Z_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6562_D74Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purp Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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