參數(shù)資料
型號: MPS6561TRD
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 406K
代理商: MPS6561TRD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ13335 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
MJ8503 5 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
MPSD54TRC PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS6507TRD Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPSA92-18R 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS6562 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6562 D75Z 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
MPS6562_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
MPS6562_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS6562_D26Z_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2