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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPS651 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 350K |
| 代理商： | MPS651 |
1999. 11. 30
1/3
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MPS651
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 2
VOLTAGE REGULATOR, RELAY,
LAMP DRIVER, INDUSTRIAL USE
FEATURES
High Voltage : VCEO=60V(Min.).
High Current : IC(Max.)=1A.
High Transition Frequency : fT=150MHz(Typ.).
Wide Area of Safe Operation.
Complementary to MPS751.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
TO-92
DIM
MILLIMETERS
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 MAX
2.30
D
1
2
3
B
A
J
K
G
H
F
L
E
C
E
C
M
N
0.45 MAX
M
1.00
N
1. EMITTER
3. COLLECTOR
2. BASE
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB=50V, IE=0
-
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=4V, IC=0
-
100
nA
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=2V, IC=50mA
100
-
320
hFE(2)
VCE=2V, IC=1A
30
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, IB=0
60
-
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=500mA, IB=50mA
-
0.15
0.5
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=500mA, IB=50mA
-
0.85
1.2
V
Transition Frequency
fT
VCE=10V, IC=50mA
-
150
-
MHz
Collector Output Capacitanc
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
-
12
-
pF
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
80
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
60
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current
DC
IC
1
A
Pulse
ICP
2
Collector Power Dissipation
PC
625
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
Note : hFE(1) Classification
Y:100
200 , GR:160
320
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS651GR | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6520-T/R | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6520 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6521 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS6520RLRB | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS651_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS651_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS6511 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| MPS6512 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MPS-65-12 | 功能描述:線性和開(kāi)關(guān)式電源 62.4W 12V 5.2A RoHS:否 制造商:TDK-Lambda 產(chǎn)品:Switching Supplies 開(kāi)放式框架/封閉式:Enclosed 輸出功率額定值:800 W 輸入電壓:85 VAC to 265 VAC 輸出端數(shù)量:1 輸出電壓（通道 1）:20 V 輸出電流（通道 1）:40 A 商用/醫(yī)用: 輸出電壓（通道 2）: 輸出電流（通道 2）: 安裝風(fēng)格:Rack 長(zhǎng)度: 寬度: 高度: |
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