參數(shù)資料
型號： MPS4250A
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)
中文描述： 進步黨（放大器晶體管）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 30K
代理商： MPS4250A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS5172 NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)
MPS5179G High Frequency Transistor NPN Silicon
MPS5179RLRA High Frequency Transistor NPN Silicon
MPS5179RLRAG High Frequency Transistor NPN Silicon
MPS5179RLRP High Frequency Transistor NPN Silicon
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS4250ARLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS4250ARLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V Small Signal PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS4250G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V Small Signal PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS430P112 WAF 制造商:Texas Instruments 功能描述:
MPS430P112IDW 制造商:Texas Instruments 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*