參數(shù)資料
型號： MPS4123
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Amplifier Transistors
中文描述： 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 71K
代理商： MPS4123
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPS4123
MPS4124
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCE
VCB
VEB
IC
PD
30
25
Vdc
Collector–Base Voltage
40
30
Vdc
Emitter–Base Voltage
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
200
mAdc
Total Power Dissipation @ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
625
5.0
mW
mW/
°
C
Total Power Dissipation @ TC = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
1.5
12
W
mW/
°
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA
RJC
200
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mA, IB = 0)
MPS4123
MPS4124
V(BR)CEO
30
25
—
—
Vdc
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 10 A, IE = 0)
MPS4123
MPS4124
V(BR)CBO
40
30
—
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IC = 0, IE = 10 A)
V(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 20 V, IE = 0)
ICBO
—
50
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = 3.0 V, IC = 0)
IEBO
—
50
nAdc
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by MPS4123/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
CASE 29–04, STYLE 1
TO–92 (TO–226AA)
1
23
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
REV 1
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PDF描述
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