參數(shù)資料
型號(hào)： MPS2907ARL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/35頁(yè)
文件大?。?/td> 385K
代理商： MPS2907ARL1
MPS2907 MPS2907A
2–543
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = –0.1 mAdc, VCE = –10 Vdc)
MPS2907
MPS2907A
(IC = –1.0 mAdc, VCE = –10 Vdc)
MPS2907
MPS2907A
(IC = –10 mAdc, VCE = –10 Vdc)
MPS2907
MPS2907A
(IC = –150 mAdc, VCE = –10 Vdc)(1)
MPS2907, MPS2907A
(IC = –500 mAdc, VCE = –10 Vdc)(1)
MPS2907
MPS2907A
hFE
35
75
50
100
75
100
30
50
—
300
—
Collector – Emitter Saturation Voltage(1)
(IC = –150 mAdc, IB = –15 mAdc)
(IC = –500 mAdc, IB = –50 mAdc)
VCE(sat)
—
–0.4
–1.6
Vdc
Base – Emitter Saturation Voltage(1)
(IC = –150 mAdc, IB = –15 mAdc)
(IC = –500 mAdc, IB = –50 mAdc)
VBE(sat)
—
–1.3
–2.6
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product(1), (2)
(IC = –50 mAdc, VCE = –20 Vdc, f = 100 MHz)
fT
200
—
MHz
Output Capacitance
(VCB = –10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
8.0
pF
Input Capacitance
(VEB = –2.0 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)
Cibo
—
30
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn–On Time
(VCC = –30 Vdc, IC = –150 mAdc,
I
15
Ad ) (Fi
1
d 5)
ton
—
45
ns
Delay Time
IB1 = –15 mAdc) (Figures 1 and 5)
td
—
10
ns
Rise Time
tr
—
40
ns
Turn–Off Time
(VCC = –6.0 Vdc, IC = –150 mAdc,
I
15
Ad ) (Fi
2)
toff
—
100
ns
Storage Time
IB1 = IB2 = 15 mAdc) (Figure 2)
ts
—
80
ns
Fall Time
tf
—
30
ns
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%.
2. fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
0
–16 V
200 ns
50
1.0 k
200
–30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤ 5.0 ns
+15 V
–6.0 V
1.0 k
37
50
1N916
1.0 k
200 ns
–30 V
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤ 5.0 ns
INPUT
Zo = 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
≤ 2.0 ns
P.W. < 200 ns
INPUT
Zo = 50
PRF = 150 PPS
RISE TIME
≤ 2.0 ns
P.W. < 200 ns
Figure 1. Delay and Rise Time Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time Test Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPS2907AZL1G 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907RL 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907RLRE 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907RLRM 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
MPS2907RLRA 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MPS2907ARL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2907ARLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2907ARLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2907ARLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPS2907ARLRE 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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