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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MPS2369A |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | MPS2369A |
NPN SILICON PLANAR HIGH SPEED
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
FEATURES
* 40 Volt VCEO
* Very fast switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
15
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
4.5
V
Continuous Collector Current
IC
500
mA
Power Dissipation at Tamb=25°C
Ptot
300
mW
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
40
V
IC=10A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
15
V
IC=10mA, IB=0*
V(BR)CES
40
V
IC=10A, VBE=0
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
4.5
V
IE=10A, IC=0
Collector Cut-Off Current
ICBO
25
30
nA
A
VCB=20V, IE=0
VCB=20V, IE=0, Tamb=150°C
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
0.2
V
IC=10mA, IB=1mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
0.7
0.85
V
IC=10mA, IB=1mA*
Static Forward Current
Transfer Ratio
hFE
40
20
120
IC=10mA, VCE=1V*
IC=10mA, VCE=1V, Tamb=-55°C*
IC=100mA, VCE=1V*
Output Capacitance
Cobo
4pF
VCB=5V, IE=0, f=140KHz
Turn-on Time
ton
12
ns
VCC=3V, VBE(off)=1.5V IC=10mA,
IB1=3mA (See tONcircuit)
Turn-off Time
toff
18
ns
VCC=3V, IC=10mA, IB1=3mA
IB2=1.5mA(See tOFFcircuit)
Storage Time
ts
13
ns
IC=IB1= IB2=10mA
(See Storage test circuit)
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤ 2%
E-Line
TO92 Compatible
C
B
E
MPS2369A
3-68
MPS2369A
270
3K3
3V
C < 4pF *
S
t1
< 1ns
+10.6V
0
-1.5V
Pulse width (t1)=300ns
Duty cycle = 2%
tONCIRCUIT
270
3K3
3V
C < 4pF *
S
t1
< 1ns
+10.75V
0
-4.15V
Pulse width (t1)=300ns
Duty cycle = 2%
tOFFCIRCUIT
980
500
10V
C < 3pF *
S
t1
< 1ns
+6V
0
-4V
Pulse width (t1)=300ns
Duty cycle = 2%
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
STORAGE TEST CIRCUIT
3-69
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS2369RL1 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2369ARLRP | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2369ARL1 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2369ARLRE | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPS2369ZL1 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPS2369AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369ARLRP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369ARLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369ASTOA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPS2369ASTOB | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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