參數(shù)資料
型號: MMUN2241LT3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/12頁
文件大?。?/td> 104K
代理商: MMUN2241LT3
MMUN2211LT1 Series
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (surface mounted)
RθJA
625
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
65 to +150
°C
Maximum Temperature for Soldering Purposes,
Time in Solder Bath
TL
260
10
°C
Sec
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Cutoff Current (VCB = 50 V, IE = 0)
ICBO
100
nAdc
Collector-Emitter Cutoff Current (VCE = 50 V, IB = 0)
ICEO
500
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
MMUN2211LT1
(VEB = 6.0 V, IC = 0)
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
IEBO
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
4.3
2.3
1.5
0.18
0.13
4.0
0.1
mAdc
Collector-Base Breakdown Voltage (IC = 10 mA, IE = 0)
V(BR)CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 2), (IC = 2.0 mA, IB = 0)
V(BR)CEO
50
Vdc
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
DC Current Gain
MMUN2211LT1
(VCE = 10 V, IC = 5.0 mA)
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
MMUN2216LT1
MMUN2230LT1
MMUN2231LT1
MMUN2232LT1
MMUN2233LT1
MMUN2234LT1
MMUN2238LT1
MMUN2241LT1
hFE
35
60
80
160
3.0
8.0
15
80
160
60
100
140
350
5.0
15
30
200
150
350
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mA, IB = 0.3 mA)
(IC = 10 mA, IB = 5 mA) MMUN2230LT1/MMUN2231LT1
(IC = 10 mA, IB = 1 mA) MMUN2215LT1/MMUN2216LT1
MMUN2232LT1/MMUN2233LT1/MMUN2234LT1/
MMUN2238LT1
VCE(sat)
0.25
Vdc
2. Pulse Test: Pulse Width < 300
ms, Duty Cycle < 2.0%.
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