參數(shù)資料
型號(hào)： MMUN2234
廠商： WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述： Bias Resistor Transistor NPN Silicon
中文描述： 偏置電阻晶體管NPN硅
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 388K
代理商： MMUN2234
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MMUN2211
Series
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2213
100
Figure 14. Output Capacitance
50
0
10
20
30
40
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VR, REVERSE BIAS VOL TAGE (VOLTS)
f = 1 MHz
lE = 0 A
TA = 25
C
0
2
4
6
8
10
10
1
0.1
0.01
0.001
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Output Current vs. Input Voltage
VO = 5 V
I
TA = ±255C
TA = -25
755C
255C
100
10
1
0.1
0
10
20
30
40
50
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. Input Voltage vs. Output Current
VO = 0.2 V
V
75
TA = -25
25
MMUN2214
Figure 17. VCE(sat) vs. IC
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
40
60
80
1
0.1
0.01
0.001
IC/IB = 10
TA = -25
25
75
V
(
Figure 18. DC Current Gain
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
VCE= 10
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
15 20 40 50 60 70 80 90
h
25
TA = 75
-25
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MMUN2234LT1 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2234LT1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMUN2234LT3 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Bias Resistor Transistor
MMUN2234LT3G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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