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參數資料
| 型號： | MMUN2230LT3 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | TO-236AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 181K |
| 代理商： | MMUN2230LT3 |
MMUN2211LT1 SERIES
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2211LT1
10
020
30
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
1
0.1
V
in
,INPUT
VOL
TAGE
(VOL
TS)
TA = –25°C
75
°C
25
°C
40
50
1
0.1
0.01
0.001
020
40
60
80
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE(sat)
,MAXIMUM
COLLECT
OR
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1000
100
10
1
10
100
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
(NORMALIZED)
TA =75°C
25
°C
–25
°C
TA = –25°C
25
°C
IC/IB = 10
75
°C
25
°C
TA = –25°C
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
123
4
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
5
678
9
10
50
0
1020
3040
4
3
1
2
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
ob
,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
75
°C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25°C
VO = 5 V
VCE = 10 V
VO = 0.2 V
Figure 1. Derating Curve
250
200
150
100
50
0
–50
0
50
100
150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(MILLIW
A
TTS)
R
θJA = 625°C/W
Figure 2. VCE(sat) versus IC
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. Output Capacitance
Figure 5. VCE(sat) versus IC
Figure 6. VCE(sat) versus IC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMUN2214LT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2232LT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2213LT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2215LT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMUN2233LT3 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| MMUN2231LT1 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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