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參數(shù)資料
| 型號： | MMUN2115LT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | MMUN2115LT1 |
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MMUN2112LT1
Figure 7. VCE(sat) versus IC
Figure 8. DC Current Gain
1000
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
100
10
1
100
TA= 75
°
C
25
°
C
–25
°
C
Figure 9. Output Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
10
20
30
TA= –25
°
C
75
°
C
V
100
10
1
0.1
40
50
Figure 10. Output Current versus Input Voltage
100
10
1
0.1
0.01
0.0010
1
2
3
Vin, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
4
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
I
5
6
7
8
9
10
Figure 11. Input Voltage versus Output Current
0.01
V
0.1
1
10
40
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0
20
60
80
75
°
C
25
°
C
TA= –25
°
C
50
0
10
20
30
40
4
3
2
1
0
VR, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
C
25
°
C
f = 1 MHz
lE = 0 V
TA = 25
°
C
VO = 5 V
VO = 0.2 V
IC/IB= 10
VCE = 10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMUN2130LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MMUN2116LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MMUN2131LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MMUN2132LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MMUN2133LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMUN2115LT1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MMUN2115LT3 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistors |
| MMUN2116 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MMUN2116L | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = k |
| MMUN2116LT1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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