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參數(shù)資料
| 型號： | MMUN2113LT1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | MMUN2113LT1 |
3
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Output Voltage (off) (VCC = 5.0 V, VB = 0.5 V, RL = 1.0 k
)
(VCC = 5.0 V, VB = 0.25 V, RL = 1.0 k
)
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
(VCC = 5.0 V, VB = 0.050 V, RL = 1.0 k
) MMUN2130LT1
VOH
4.9
—
—
Vdc
Input Resistor
MMUN2111LT1
MMUN2112LT1
MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1
MMUN2116LT1
MMUN2130LT1
MMUN2131LT1
MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
MMUN2134LT1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
k
Resistor Ratio MMUN2111LT1/MMUN2112LT1/MMUN2113LT1
MMUN2114LT1
MMUN2115LT1/MMUN2116LT1
MMUN2130LT1/MMUN2131LT1/MMUN2132LT1
MMUN2133LT1
R1/R2
0.8
0.17
—
0.8
0.055
1.0
0.21
—
1.0
0.1
1.2
0.25
—
1.2
0.185
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMUN2133LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MMUN2114LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MMUN2115LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MMUN2130LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
| MMUN2116LT1 | PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMUN2113LT1G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MMUN2113LT3 | 功能描述:TRANS BRT PNP 50V SOT-23 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| MMUN2113LT3G | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 SS BR XSTR PNP 50V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| MMUN2113RLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
| MMUN2114 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Bias Resistor Transistor |
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