參數(shù)資料
型號： MMSZ9V1T1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： PLASTIC, CASE 425, 2 PIN
文件頁數(shù)： 7/20頁
文件大?。?/td> 258K
代理商： MMSZ9V1T1
Motorola TVS/Zener Device Data
7-153
500 mW Leadless (SOD-123) Data Sheet
500 mW SOD-123
MULTIPLE PACKAGE QUANTITY (MPQ)
REQUIREMENTS
Zener Voltage Regulator Diodes — Surface Mounted
CASE 425
PLASTIC
(Refer to Section 10 for Surface Mount, Thermal Data and Footprint Information.)
(Refer to Section 10 for more information on Packaging Specifications.)
Package Option
Tape and Reel
3K
Type No. Suffix
T1(1)
MPQ (Units)
Tape and Reel
T3(2)
10K
NOTE: 1. The numbers on the suffixes indicate the following:
NOTE: 1. 1. 7
″ Reel. Cathode lead toward sprocket hole.
NOTE: 1. 2. 13
″ Reel. Cathode lead toward sprocket hole.
SOD-123 Footprint
mm
inches
0.91
0.036
1.22
0.048
2.36
0.093
4.19
0.165
D
A
B
K
1
2
J
H
STYLE 1:
PIN 1. CATHODE
2. ANODE
E
C
0.055
0.100
0.037
0.020
0.010
0.000
—
0.140
0.071
0.112
0.053
0.028
—
0.004
0.006
0.152
1.80
2.85
1.35
0.70
—
0.10
0.15
3.85
1.40
2.55
0.95
0.50
0.25
0.00
—
3.55
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
B
C
D
E
H
J
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 425-01 THRU -03 OBSOLETE, NEW STANDARD
425-04.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ5228BLT1 3.9 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMSZ4687T1 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5245BT3 15 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5243BLT3 13 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMSZ12T3 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMSZ9V1T1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMSZ9V1T3 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMT05A230T3 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
MMT05A230T3_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD
MMT05A230T3G 功能描述:硅對稱二端開關(guān)元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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