參數(shù)資料
型號： MMSZ5258ET3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： MMSZ5258ET3
MMSZ5221ET1 Series
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Figure 1. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ5221BT1 SERIES
VZ @ IZT
100
10
1
10
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 2. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
VZ @ IZT
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
150
125
100
75
50
25
0
T, TEMPERATURE (
°C)
Figure 3. Steady State Power Derating
PD versus TA
PD versus TL
0.1
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 4. Maximum Nonrepetitive Surge Power
1
10
100
1000
100
10
1
RECTANGULAR
WAVEFORM, TA = 25°C
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE
Figure 5. Effect of Zener Voltage on
Zener Impedance
10
1
1000
100
10
1
TJ = 25°C
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC)
f = 1 kHz
IZ = 1 mA
5 mA
20 mA
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Forward Voltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1000
100
10
1
75 V (MMSZ5267BT1)
91 V (MMSZ5270BT1)
150
°C
75
°C 25°C
0
°C
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ5221BT1 SERIES
q
VZ
,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
°C
)
q
VZ
,
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
°C
)
P
pk
,PEAK
SURGE
POWER
(W
A
TTS)
Z
ZT
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(
W
)
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMSZ5262ET1G 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5253ET3G 25 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5263ET3G 56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5260ET1 43 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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參數(shù)描述
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MMSZ5259B-7-F 功能描述:穩(wěn)壓二極管 39V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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