| 型號: | MMSTA56 |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝: | SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù): | 1/2頁 |
| 文件大小: | 64K |
| 代理商: | MMSTA56 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MPSA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62RLRE | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMSTA56-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA56-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA56T146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA63 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DARLINGTON PNP SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500. |
| MMSTA63_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |