| 型號: | MMSTA56 |
| 廠商: | Diodes Inc. |
| 英文描述: | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述: | 進步黨小信號晶體管表面貼裝 |
| 文件頁數(shù): | 2/2頁 |
| 文件大小: | 46K |
| 代理商: | MMSTA56 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSTA56 | PNP General Purpose Transistor |
| MMSTA63-7-F | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMSTA64-7-F | PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
| MMSTA63-7 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA63 | PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMSTA56-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA56-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA56T146 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA63 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DARLINGTON PNP SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500. |
| MMSTA63_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |