| 型號(hào): | MMST5401-13 |
| 廠商: | DIODES INC |
| 元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述: | 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商: | MMST5401-13 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMST6428 | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST5088 | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA28 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST4124 | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST6839T147 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMST5401-13-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:200MW, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PNP, SOT323, - Tape and Reel |
| MMST5401-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST5401-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST5401-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -200mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST5401-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -200mA 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |