參數(shù)資料
型號(hào)： MMQA6V8T3G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 150 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
封裝： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318F-05, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： MMQA6V8T3G
MMQA5V6T1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
IR @
Breakdown Voltage
ZZT (Note 6)
VC @ IPP (Note 7)
Device
VRWM
IR @
VRWM
VBR (Note 5) (Volts)
@ IT
ZZT (Note 6)
@ IZT
VC
IPP
QVBR
Device
Marking
Volts
nA
Min
Nom
Max
mA
W
mA
Volts
Amps
mW/
5C
MMQA5V6T1, G*
5A6
3.0
2000
5.32
5.6
5.88
1.0
400
1.0
8.0
3.0
1.26
MMQA6V2T1/T3, G*
6A2
4.0
700
5.89
6.2
6.51
1.0
300
1.0
9.0
2.66
10.6
MMQA6V8T1, G*
6A8
4.3
500
6.46
6.8
7.14
1.0
300
1.0
9.8
2.45
10.9
MMQA12VT1, G*
12A
9.1
75
11.4
12
12.6
1.0
80
1.0
17.3
1.39
14
MMQA13VT1/T3
13A
9.8
75
12.35
13
13.65
1.0
80
1.0
18.6
1.29
15
MMQA15VT1
15A
11
75
14.25
15
15.75
1.0
80
1.0
21.7
1.1
16
MMQA18VT1, G*
18A
14
75
17.1
18
18.9
1.0
80
1.0
26
0.923
19
MMQA20VT1/T3, G*
20A
15
75
19.0
20
21.0
1.0
80
1.0
28.6
0.84
20.1
MMQA21VT1
21A
16
75
19.95
21
22.05
1.0
80
1.0
30.3
0.792
21
MMQA22VT1
22A
17
75
20.9
22
23.1
1.0
80
1.0
31.7
0.758
22
MMQA24VT1
24A
18
75
22.8
24
25.2
1.0
100
1.0
34.6
0.694
25
MMQA27VT1
27A
21
75
25.65
27
28.35
1.0
125
1.0
39.0
0.615
28
MMQA30VT1
30A
23
75
28.5
30
31.5
1.0
150
1.0
43.3
0.554
32
MMQA33VT1
33A
25
75
31.35
33
34.65
1.0
200
1.0
48.6
0.504
37
5. VBR measured at pulse test current IT at an ambient temperature of 25°C
6. ZZT is measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current supplied. The specified limits are IZ(ac) = 0.1 IZ(dc)
with the AC frequency = 1.0 kHz
7. Surge current waveform per Figure 5 and derate per Figure 4
* The “G” suffix indicates PbFree package available.
Not Available in the 10,000/Tape & Reel.
TYPICAL CHARACTERISTICS
300
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
250
200
150
100
50
0
5.6
6.8
12
20
27
BIASED AT 0 V
BIASED AT 1 V
BIASED AT 50%
OF VZ NOM
Figure 1. Typical Capacitance
5.6
6.8
20
27
10,000
1,000
100
10
0
Figure 2. Typical Leakage Current
I R
,LEAKAGE
(nA)
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
33
+150°C
+25°C
40°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMQA12VT3G 150 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
MMSZ4691FL 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ4705FL 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ4713FL 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ4710T3G 25 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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參數(shù)描述
MMQA-D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:SC-74 Quad Monolithic Common Anode
MMR14511 WAF 制造商:Texas Instruments 功能描述:
MMR14520 WAF 制造商:Texas Instruments 功能描述:
MMR-1R1K-SR1-K-K-G-0-T 功能描述:RES SMD 1.1K OHM 10% 0404 制造商:aeroflex metelics, division of macom 系列:MMR 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 電阻（歐姆）:1.1k 容差:±10% 功率（W）:- 成分:厚膜 特性:射頻，高頻率 溫度系數(shù):±150ppm/°C 工作溫度:- 封裝/外殼:0404（1010 公制） 供應(yīng)商器件封裝:0404 大小/尺寸:0.038" 長(zhǎng) x 0.038" 寬（0.965mm x 0.965mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.010"（0.26mm） 端子數(shù):2 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:400
MMR-24RK-SR5-K-J-B-0-T 功能描述:RES SMD 24K OHM 10% 0303 制造商:aeroflex metelics, division of macom 系列:MMR 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 電阻（歐姆）:24k 容差:±10% 功率（W）:- 成分:厚膜 特性:射頻，高頻率 溫度系數(shù):±150ppm/°C 工作溫度:- 封裝/外殼:0303（0808 公制） 供應(yīng)商器件封裝:303 大小/尺寸:0.030" 長(zhǎng) x 0.030" 寬（0.76mm x 0.76mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.010"（0.26mm） 端子數(shù):2 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:400
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