參數(shù)資料
型號： MMJT9435
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Bipolar Power Transistors
中文描述： 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 94K
代理商： MMJT9435
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PNP Silicon
Collector –Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus)
= 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
High DC Current Gain — hFE
= 140 (Min) @ IC = 1.2 Adc
= 125 (Min) @ IC = 3.0 Adc
Low Collector –Emitter Saturation Voltage — VCE(sat)
= 0.275 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc
= 0.68 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
SOT–223 Surface Mount Packaging
Preferred devices
are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MAXIMUM RATINGS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Symbol
Value
Unit
30
45
Vdc
Vdc
VCB
Base Current — Continuous
IB
1.0
Adc
Collector Current
—
Peak
Total PD @ TA = 25 C mounted on 0.92” sq. (590 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
Total PD @ TA = 25 C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
1.5
0.8
5.0
Derate above 25 C
3.0
0.025
Watts
mW/ C
THERMAL CHARACTERISTICS
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
C
Characteristic
Symbol
Max
Unit
– Junction to Ambient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
– Junction to Ambient on 1” sq. (645 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
R
θ
JA
R
θ
JA
156
60
REV 1
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MMJT9435/D
POWER BJT
IC = 3.0 AMPERES
BVCEO = 30 VOLTS
VCE(sat) = 0.275 VOLTS
CASE 318E–04, Style 1
Motorola Preferred Device
Top View
Pinout
C
C
E
B
Schematic
C 2,4
B 1
E 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMM5063 Tri-Band GSM GPRS 3.5 V Power Amplifier
MMM5063D Tri-Band GSM GPRS 3.5 V Power Amplifier
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MMSF5P02HD SINGLE TMOS POWER MOSFET 8.7 AMPERES 20 VOLTS
MMSF7P03HD SINGLE TMOS POWER MOSFET 30 VOLTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMJT9435T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMJT9435T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 30V 3W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMK 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Metallized polyester According to CECC 30401-042, IEC 60384-2, DIN 44122
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