參數(shù)資料
型號(hào)： MMFT2406T3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 0.7 A, 240 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA
封裝： CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： MMFT2406T3
MMFT2406T1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
DraintoSource Breakdown Voltage
(V
GS
= 0,
I
D
= 100 A)
V
(BR)DSS
240
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 120 V, V
GS
= 0)
I
DSS
10
Adc
GateBody Leakage Current
(V
GS
= 15 Vdc, V
DS
= 0)
I
GSS
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
(Note 2)
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0 mAdc)
V
GS(th)
0.8
2.0
Vdc
Static DraintoSource OnResistance
(V
GS
= 2.5 Vdc, I
D
= 0.1 Adc)
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 0.5 Adc)
R
DS(on)
10
6.0
DraintoSource OnVoltage
(V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 A)
V
DS(on)
3.0
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 6.0 V, I
D
= 0.5 A)
g
FS
300
mmhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C
iss
125
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0,
f = 1.0 MHz)
C
oss
50
Transfer Capacitance
C
rss
20
2. Pulse Test: Pulse Width
≤
300 s, Duty Cycle
≤
2.0%.
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MMFT2406T3G Power MOSFET
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MMFT2N02ELT1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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