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參數(shù)資料
| 型號： | MMFT2406T1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 0.7 A, 240 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA |
| 封裝： | CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 37K |
| 代理商： | MMFT2406T1 |
MMFT2406T1
http://onsemi.com
3
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 3:
PIN 1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
4. DRAIN
H
S
F
A
B
D
G
L
4
1
2
3
0.08 (0003)
C
M
K
J
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
MIN
0.249
0.130
0.060
0.024
0.115
0.087
0.0008
0.009
0.060
0.033
MAX
0.263
0.145
0.068
0.035
0.126
0.094
0.0040
0.014
0.078
0.041
10
0.287
MIN
6.30
3.30
1.50
0.60
2.90
2.20
0.020
0.24
1.50
0.85
MAX
6.70
3.70
1.75
0.89
3.20
2.40
0.100
0.35
2.00
1.05
10
7.30
MILLIMETERS
INCHES
0
0
0.264
6.70
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
SOT223 (TO261)
CASE 318E04
ISSUE K
1.5
0.059
mm
inches
SCALE 6:1
3.8
0.15
2.0
0.079
6.3
0.248
2.3
0.091
2.3
0.091
2.0
0.079
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT2406T1G | Power MOSFET |
| MMFT2406T3 | Power MOSFET |
| MMFT2406T3G | Power MOSFET |
| MMG3002NT1 | Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) |
| MMJT350T1 | Bipolar Power Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMFT2406T1G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| MMFT2406T3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| MMFT2406T3G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
| MMFT2955E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS MEDIUM POWER FET 1.2 AMP 60 VOLTS |
| MMFT2955ET1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET P SOT-223 |
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