參數(shù)資料
型號： MMBZ6.8VDA-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 118K
代理商： MMBZ6.8VDA-GS08
www.vishay.com
2
Document Number 85808
Rev. 1.2, 30-Jan-04
VISHAY
MMBZ...VDA and C Series
Vishay Semiconductors
Electrical Characteristics
Note:
1) V
BR measured at pulse test current IT at an ambient temperature of 25 °C
2) Surge current waveform per Figure 2 and derate per Figure 3
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C unless otherwise specified)
Partnumber
Breakdown
Voltage1)
Test
Current
Working
Peak
Reverse
Voltage
Max.
Reverse
Leakage
Current
Max.
Reverse
Surge
Current
Max. Reverse
Voltage
(Clamping
Voltage)
Max.
Temperature
Coefficient
Max. Forward
Voltage
VBR at IT
IT
VRWM
IR
IPP
VC @ IRSM
2)
at VBR
VF
@ IF
V
mA
V
nA
A
V
mV/°C
V
mA
min
max
MMBZ6.8VDA
6.48
7.14
1.0
4.5
500
2.5
9.6
3.4
1.1
200
MMBZ15VDA
14.30
15.80
1.0
12.8
100
1.9
21.2
16
0.9
200
MMBZ27VDA
56.65
28.35
1.0
22.0
80
1.0
38.0
30
1.1
200
Figure 1. Steady state power derating curve
Figure 2. Pulse Waveform
0
25
50
75
100
125
150
175
50
0
300
100
150
200
250
P
tot
,P
O
W
ER
DISSIP
A
TION
(mW)
ALUMINA SUBSTRATE
FR-5 BOARD
T, Temperature( °C)
18655
100
50
0
1
2
3
4
V
alue(%)
t, Time (ms)
tr
tp
Peak Value - IRSM
Half Value - RSM
I
2
Pulse width (tp) is defined
as that point where the
peak current decays to
50%ofI
tr ≤ 10 s
RSM
18656
Figure 3. Pulse Derating Curve
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
25
50
75
TA
(°C)
Ambient Temperature
-
Peak
pulse
derating
in
%
o
f
peak
power
or
current
@
T
=
25Z
(°
C)
A
100
18657
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MSMF15-T13 100 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
M1102NC600 1102 A, 6000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
M2322ZC340 2322 A, 3400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
M2322ZC360 2322 A, 3600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
M2322ZC400 2322 A, 4000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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MMBZ6V2AL,215 功能描述:ESD 抑制器 1Ch 8.7V 2.76A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 擊穿電壓:8 V 電容:45 pF 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C
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MMBZ6V2ALT1G 功能描述:TVS二極管陣列 6.2V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 極性: 通道:4 Channels 擊穿電壓: 鉗位電壓:11.5 V 工作電壓:2.5 V 峰值浪涌電流:20 A 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 端接類型:SMD/SMT 系列: 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C
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