| 型號: | MMBZ5267/E9 |
| 廠商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類: | 參考電壓二極管 |
| 英文描述: | 75 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件頁數(shù): | 1/3頁 |
| 文件大小: | 125K |
| 代理商: | MMBZ5267/E9 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBRFB760 | 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MV1860A-5% | 2.2 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MV104RLRA | 39.5 pF, 32 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
| MG052S18A400TP | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MMSZ5254CW | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBZ5268BLT1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 82V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5268BLT1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 82V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5270BLT1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 91V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5270BLT1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 91V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5V6AL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE DUAL TVS UN 40W 3V SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, UN, 40W, 3V, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, UN, 40W, 3V, SOT23; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:3V; Breakdown Voltage Min:5.32V; Breakdown Voltage Max:5.88V; Clamping Voltage Vc Max:8V; Peak Pulse Current Ippm:3A; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |