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| 型號: | MMBZ5261B-GS18 |
| 廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類: | 齊納二極管 |
| 英文描述: | 47 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù): | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商: | MMBZ5261B-GS18 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MG052S09A200RM | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MQUMA110CA | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MQUMA12CA | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MSPUMA40A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| MSPUMA45A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBZ5261B-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5261B-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5261BLT1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 47V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5261BLT1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 47V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5261BLT3 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 47V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| *型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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