型號: | MMBZ5259B-TP |
廠商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分類: | 齊納二極管 |
英文描述: | 39 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封裝: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 5/5頁 |
文件大小: | 222K |
代理商: | MMBZ5259B-TP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBZ5225B-TP | 3 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5226B-TP | 3.3 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5231B-TP | 5.1 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5238B-TP | 8.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5240B-TP | 10 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBZ5259BTS-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMBZ5259BTS-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMBZ5259B-V-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 39 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMBZ5259B-V-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 39 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMBZ5259BW-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |