參數(shù)資料
型號： MMBZ5257BL99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 33 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： MMBZ5257BL99Z
MMBZ5226B
-
MMBZ5257B
Series
Tolerance: B = 5%
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
CONNECTION
DIAGRAM
2 NC
3
1
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
Units
Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
Maximum Junction Operating Temperature
+ 150
°C
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
1.8
mW
mW/
°C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed
or low duty cycle operations.
Device
Mark
VZ
(V)
ZZ
(
)
IZT
(mA)
ZZK
(
)
IZK
(mA)
VR
(V)
IR
(
A)
MMBZ 5226B
MMBZ 5227B
MMBZ 5228B
MMBZ 5229B
8A
8B
8C
8D
3.3
3.6
3.9
4.3
28
24
23
22
20
1,600
1,700
1,900
1,000
0.25
1.0
25
15
10
5.0
MMBZ 5230B
MMBZ 5231B
MMBZ 5232B
MMBZ 5233B
8E
8F
8G
8H
4.7
5.1
5.6
6.0
19
17
11
7.0
20
1,900
1,600
0.25
2.0
3.0
3.5
5.0
MMBZ 5234B
MMBZ 5235B
MMBZ 5236B
MMBZ 5237B
8J
8K
8L
8M
6.2
6.8
7.5
8.2
7.0
5.0
6.0
8.0
20
1,000
750
500
0.25
4.0
5.0
6.0
6.5
5.0
3.0
MMBZ 5238B
MMBZ 5239B
MMBZ 5240B
MMBZ 5241B
MMBZ 5242B
8N
8P
8Q
8R
8S
8.7
9.1
10
11
12
8.0
10
17
22
30
20
600
0.25
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
3.0
2.0
1.0
VF Foward Voltage = 0.9 V Maximum @ IF = 10 mA for all MMBZ 5200 series
@
NOTE: National preferred devices in BOLD
MMBZ5226B - MMBZ5257B Series Zeners
SOT-23
3
1
2
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD1204AD87Z 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MPT-15CT 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13
MMBZ5249 19 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5257 33 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5263 56 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBZ5257BLT1 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5257BLT1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5257BLT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ZENER DIODE, 225mW, 33V, SOT-23
MMBZ5257BLT3 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5257BLT3G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 33V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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