型號: | MMBZ5256BLT1 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 參考電壓二極管 |
英文描述: | 3-32V Dual Operational Amplifier, Ta = 0 to +70°C, Pb-FREE; Package: SOIC-8 Narrow Body; No of Pins: 8; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500 |
中文描述: | 30 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
封裝: | PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/5頁 |
文件大?。?/td> | 79K |
代理商: | MMBZ5256BLT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBZ5256BLT1G | 3-32V Dual Operational Amplifier, Ta = 0 to +70°C; Package: 8 LEAD PDIP; No of Pins: 8; Container: Rail; Qty per Container: 50 |
MMBZ5256BLT3 | 3-32V Dual Operational Amplifier, Ta = 0 to +70°C, Pb-FREE; Package: 8 LEAD PDIP; No of Pins: 8; Container: Rail; Qty per Container: 50 |
MMBZ5256BLT3G | 1.2V ±1% Output Voltage 10uA-20mA Voltage Reference Diode; Package: SOIC-8 Narrow Body; No of Pins: 8; Container: Rail; Qty per Container: 98 |
MMBZ5230BLT1G | Zener Voltage Regulators |
MMBZ5230BLT3 | Zener Voltage Regulators |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBZ5256BLT1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMBZ5256BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ZENER DIODE, 225mW, 30V, SOT-23 |
MMBZ5256BS-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMBZ5256BS-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 30V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
MMBZ5256BT-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 150MW 30V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |