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參數(shù)資料
| 型號： | MMBZ5249/E9 |
| 廠商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 19 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 125K |
| 代理商： | MMBZ5249/E9 |
Dimensions in inches and (millimeters)
.016 (0.4)
.056
(
1
.43
)
.037(0.95) .037(0.95)
ma
x
..004
(
0.1
)
.122 (3.1)
.016 (0.4)
1
2
3
Top View
.102 (2.6)
.007
(
0
.17
5)
.0
45
(
1
.15)
.110 (2.8)
.052
(
1
.33
)
.005
(
0
.1
25)
.094 (2.4)
.0
37
(
0
.95)
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Zener Current (see Table “Characteristics”)
Power Dissipation at TA = 25°C
Ptot
225(1)
mW
300(2)
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
R
θJA
556(1)
°C/W
Maximum Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature Range
TS
–65 to +175
°C
Notes:
(1) On FR-5 board using recommended solder pad layout
(2) On alumina substrate
0.079 (2.0)
0.037 (0.95)
0.035 (0.9)
0.031 (0.8)
0.037 (0.95)
MMBZ5225 thru MMBZ5267
Zener Diodes
VZ Range 3.0 to 75V
Power Dissipation 300mW
9/5/00
Features
Silicon Planar Power Zener Diodes.
Standard Zener voltage tolerance is ±5%
tolerance with a “B” suffix. Other tolerances are avail-
able upon request.
High temperature soldering guaranteed:
250C/10 seconds at terminals.
These diodes are also available in MiniMELF case
with the type designation ZMM5225...ZMM5267, SOD-123
case with the type designation MMSZ5225... MMSZ5267.
TO-236AB (SOT-23)
Dimensions in inches and (millimeters)
Mounting Pad Layout
Top View
Mechanical Data
Case: SOT-23 Plastic Package
Weight: approx. 0.008g
Packaging Codes/Options:
E8/10K per 13” reel (8mm tape), 30K per box
E9/3K per 7” reel (8mm tape), 30K per box
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MSS-30,142-B10B | SILICON, MIXER DIODE |
| MV2109RLRP | HF-UHF BAND, 33 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
| MZP4744ATA | 15 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| MG052L18X500RP | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MA40115-120 | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, KU BAND, MIXER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBZ5250B | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5250B_D87Z | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5250B_Q | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5250B-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 350MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5250B-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 350MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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