| 型號: | MMBZ5231B-V-GS18 |
| 廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類: | 齊納二極管 |
| 英文描述: | 5.1 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù): | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商: | MMBZ5231B-V-GS18 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5247-V-GS08 | 17 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MLL5986BUR | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL5997DURTR | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL5999BUR | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL6006BURTR | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBZ5231BW | 制造商:RECTRON 制造商全稱:Rectron Semiconductor 功能描述:SURFACE MOUNT ZENER DIODE VOLTAGE RANGE 2.7 to 39 Volts POWER RATING 200 mWatts |
| MMBZ5231BW-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 5.1V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5231BW-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 5.1V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5231BW-T1 | 制造商:WTE 制造商全稱:Won-Top Electronics 功能描述:200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
| MMBZ5231BW-TP | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 8.7V, 20mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |