| 型號(hào): | MMBZ5230BT-7 |
| 廠商: | DIODES INC |
| 元件分類: | 齊納二極管 |
| 英文描述: | 4.7 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 74K |
| 代理商: | MMBZ5230BT-7 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCL103A-TR | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MBR1045/45 | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR1050/45 | 10 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBRB1090 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRF2535CT/45 | 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBZ5230BT-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 150MW 4.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5230B-TP | 功能描述:DIODE ZENER 350MW 4.7V SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MMBZ5230BTS | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:TRIPLE SURFACE MOUNT ZENER DIODE ARRAY |
| MMBZ5230BTS-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 4.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5230BTS-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 200MW 4.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |