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參數(shù)資料
| 型號： | MMBZ5229C-V-G08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 4.3 V, 0.23 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | GREEN PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | MMBZ5229C-V-G08 |
MMBZ5225-V to MMBZ5267-V
Vishay Semiconductors
18078
12
3
Document Number 85772
Rev. 1.5, 15-Sep-10
www.vishay.com
1
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Small Signal Zener Diodes
Features
Silicon planar power Zener diodes.
Standard Zener voltage tolerance is ± 5 %
with a “B” suffix (e.g.: MMBZ5225B-V),
suffix “C” is ± 2 % tolerance.
High temperature soldering guaranteed:
260 °C/ 4x 10 s at terminals.
These diodes are also available in
MiniMELF
case
with
the
type
designation
ZMM5225 to ZMM5267, SOD-123 case with the
type designation MMSZ5225-V to MMSZ5267-V.
AEC-Q101 qualified
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
Mechanical Data
Case: SOT-23
Weight: approx. 8.8 mg
Packaging codes/options:
GS18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box
GS08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Notes
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
2) On alumina substrate
Thermal Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Note
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Zener current
(see table "Characteristics")
Power dissipation
Ptot
225 1)
mW
Ptot
300 2)
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambient air
RthJA
556 1)
°C/W
Maximum junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
- 65 to + 175
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5238C-V-G18 | 8.7 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5259B-V-G18 | 39 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5267C-V-G18 | 75 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MA4E932-186 | SILICON, ZERO BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
| MX5KP26AE3TR | 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBZ5229C-V-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.3 Volt 0.3W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5229C-V-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.3 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5229ELT1 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.3V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5229ELT1G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 4.3V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5229ELT1T3G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
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