參數(shù)資料
型號： MMBZ5227BWT/R7
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 3.6 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： MMBZ5227BWT/R7
PAGE . 1
June 11.2010-REV.00
MMBZ5221BW~MMBZ5262BW
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 51 Volts
POWER
200 mWatts
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
NOTES:
A. Mounted on 100cm2(1mm thick) copper areas.
FEATURES
Planar Die construction
200mW Power Dissipation
Zener Voltages from 2.4V~51V
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Apporx. Weight: 0.0001 ounce, 0.005 gram
Parameter
Symbol
Value
Units
Power Dissipation @TA=25oC(Note A)
PD
200
mW
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ
-55 to +150
OC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBZ5234B 6.2 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ5238A 8.7 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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MMBZ5245AWT/R13 15 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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參數(shù)描述
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MMBZ5227C-V-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.6 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5227ELT1 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.6V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5227ELT1G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
MMBZ5227-V 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes
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