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參數資料
| 型號： | MMBZ5226B-V-G-18 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 齊納二極管 |
| 英文描述： | 3.3 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封裝： | GREEN PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | MMBZ5226B-V-G-18 |
MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G
Vishay Semiconductors
18078
12
3
Document Number 85183
Rev. 1.1, 15-Sep-10
www.vishay.com
1
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Small Signal Zener Diodes
Features
Silicon planar power Zener diodes
Standard Zener voltage tolerance is ± 5 %
with a “B” suffix (e.g.: MMBZ5225B-V-G),
suffix “C” is ± 2 % tolerance
High temperature soldering guaranteed:
260 °C/4 x 10 s at terminals
AEC-Q101 qualified
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
and in accordance to WEEE 2002/96/EC
Mechanical Data
Case: SOT-23
Weight: approx. 8.1 mg
Packaging codes/options:
-18/10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box
-08/3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Notes
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
2) On alumina substrate
Thermal Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Note
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
** Please see document “Vishay Material Category Policy”: www.vishay.com/doc?99902
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Zener current
(see table “Characteristics”)
Power dissipation
Ptot
225 1)
mW
Ptot
300 2)
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambient air
RthJA
556 1)
°C/W
Maximum junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
- 65 to + 175
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5234C-V-G-18 | 6.2 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5250C-V-G-18 | 20 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4679 | 2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4691 | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5238BS | 8.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBZ5226B-V-GS08 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5226B-V-GS18 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5226BW | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| MMBZ5226BW-7 | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| MMBZ5226BW-7-F | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 3.3V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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