參數(shù)資料
型號： MMBZ27VDC-GS08
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 73K
代理商： MMBZ27VDC-GS08
VISHAY
MMBZ...VDA and C Series
Document Number 85808
Rev. 1.4, 08-Jul-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Package Dimensions in mm (Inches)
Figure 3. Pulse Derating Curve
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
25
50
75
TA
(°C)
Ambient Temperature
-
Peak
pulse
derating
in
%
o
f
peak
power
or
current
@
T
=
25Z
(°
C)
A
100
18657
2.0 (0.079)
0.9 (0.035)
0.95 (0.037)
0.52 (0.020)
1
2
3
17418
2.8 (.110)
3.1 (.122)
0.4 (.016)
0.95 (.037)
0.1 (.004) max.
1.20(.047)
1.43
(.056)
0.4 (.016)
0.098 (.005)
0.175 (.007)
0.95
(.037)
1.15
(.045)
2.35 (.092)
2.6 (.102)
ISO Method E
Mounting Pad Layout
相關PDF資料
PDF描述
MMBZ6.8VDA-GS08 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
MSMF15-T13 100 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
M1102NC600 1102 A, 6000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
M2322ZC340 2322 A, 3400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
M2322ZC360 2322 A, 3600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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