型號: | MMBTH69LT3 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
封裝: | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/21頁 |
文件大小: | 287K |
代理商: | MMBTH69LT3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBTH81LT1 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBTH81LT3 | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMC2112CCPV33 | 32-BIT, FLASH, 33 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144 |
MMDF2C01HDR2 | 5.2 A, 20 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
MMDF2C01HDR2 | 5.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBTH81 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
MMBTH81 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
MMBTH81_D87Z | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
MMBTH81_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBTRA101 RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 4.7/4.7kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |