參數(shù)資料
型號： MMBTH10LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： VHF/UHF Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 甚高頻/超高頻晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBTH10LT1
TO-263 / D
2
PAK
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
1
2
3
4
PIN 1
PIN 3
PIN 2 & 4
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
Min
9.65
Max
10.69
14.60
15.88
0.51
1.14
2.29
2.79
4.37
4.83
1.14
1.40
1.14
1.40
8.25
9.25
0.30
0.64
2.03
2.92
2.29
2.79
A
B
E
G
J
L
M
N
P
K
S
M
H
R
D
C
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
3.20
Max
3.50
4.59
5.16
20.80
21.30
19.70
20.20
2.10
2.40
0.51
0.76
15.90
16.40
1.70
3.10
3.30
3.50
2.70
4.51
5.20
5.70
1.12
1.22
2.90
3.30
11.70
12.80
4.30 Typical
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
J
G
H H
L
M
A
N
P
D
E
K
C
B
B
J
R
Case
-
-
+
Case Positive
Case Negative
TO-220AB
TO-220AC
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
Max
14.22
15.88
9.65
10.67
2.54
3.43
5.84
12.70
6.86
6.35
14.73
2.29
2.79
0.51
3.53
3.56
1.14
4.09
4.83
1.14
1.40
0.30
0.64
2.03
2.92
4.83
5.33
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
P
Min
Max
6.3
6.7
10
0.3
0.8
2.3 Nominal
2.1
2.5
0.4
0.6
1.2
1.6
5.3
5.7
0.5 Nominal
1.3
1.8
1.0
5.1
5.5
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
P
4
1
2
3
TO-252 / DPAK
SOT-143
Min
Dim
Max
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
S
2.80
3.04
1.20
1.40
0.80
1.20
0.37
0.46
0.76
0.89
1.92 BSC
1.72 BSC
0.085
0.130
0.051
0.127
0.25
0.55
1.00
1.69
2.10
2.64
All Dimensions in mm
E
K
L
J
B
S
D
C
TOP VIEW
A
M
G
H
SOT-343 / SOT-143
D
E
C
B
J
R
TO-220AC-P
H
R
TO-3P
TO-3P-P
P.30
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PDF描述
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參數(shù)描述
MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10RG 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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