參數(shù)資料
型號： MMBTH10LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大?。?/td> 500K
代理商： MMBTH10LT1
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TO-263-5
P.32
相關PDF資料
PDF描述
MMBT6517LT1 1.8V, High CMR, RRIO Op Amp 14-SOIC -40 to 125
MMBT5088 NPN General Purpose Amplifier
MMBT5089 Inductor RoHS Compliant: Yes
MMBTH10 NPN RF Transistor
MMBT6517 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:D38999/20; No. of Contacts:41; Connector Shell Size:21; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Body Style:Straight RoHS Compliant: No
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MMBTH10RG 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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