參數(shù)資料
型號: MMBTH10-7
廠商: DIODES INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN SURFACE MOUNT VHF/UHF TRANSISTOR
中文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 13/15頁
文件大小: 500K
代理商: MMBTH10-7
%&'
E
5
'K
0
E
EK
B
E
2
2
*
B
E
*
2
LB
(
(6(
7
C
7
=
7
7
>
E
F
EC
C
46
77C
7E
2
;46
7
7C7
B46
E
C
3
,
7C
E
A
E
TO-220-5
(6(
7
C
9
7
=
7
7
=
>
C7E7
F
EC
C
2
77
3
3+
TO-263-5
P.32
相關PDF資料
PDF描述
MMBT5089 Inductor RoHS Compliant: Yes
MMBT6429 250MHz, Rail-to-Rail I/O, CMOS Quad Operational Amplifier 14-TSSOP -40 to 125
MMBT4125 PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
MMBT5088 NPN (LOW NOISE TRANSISTOR)
MMBT8050 mini size of discrete semiconductor elements
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTH10-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2