參數資料
型號: MMBTA93
廠商: KEC Holdings
英文描述: EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE TELEPHONE)
中文描述: 外延平面PNP晶體管(高壓電話)
文件頁數: 2/3頁
文件大?。?/td> 57K
代理商: MMBTA93
Zowie Technology Corporation
Characteristic
Symbol
Min.
Max.
Unit
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
o
C unless otherwise noted) (Continued)
H
FE
25
40
25
-
-
-
-
ON CHARACTERISTICS
(3)
V
CE
(sat)
Vdc
DC Current Gain
( I
C
= -1.0 mAdc, V
CE
=
-
10 Vdc )
( I
C
= -10 mAdc, V
CE
= -10 Vdc )
( I
C
= -30 mAdc, V
CE
= -10 Vdc )
Collector-Emitter Saturation Voltage
( I
C
= -20 mAdc, I
B
= -2.0 mAdc )
-
-0.5
V
BE
(sat)
Vdc
Base-Emitter Saturation Voltage
( I
C
= -20 mAdc, I
B
= -2.0 mAdc )
-
-0.9
f
T
C
cb
50
-
-
8.0
MH
Z
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTIC
pF
Current-Gain-Bandwidth Product
( I
C
= -10 mAdc, V
CE
= -20 Vdc, f=100 MH
Z
)
Collector-Base Capacitance
( V
CB
= -20 Vdc, I
E
=0, f=1.0 MH
Z
)
Zowie Technology Corporation
REV. : 0
(3) Pulse Test : Pulse Width 300 uS, Duty Cycle 2.0%.
相關PDF資料
PDF描述
MMBTA93LT1 High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MMBV3401R-12K SURFACE MOUNT PIN DIODE
MMBV3401R-3K SURFACE MOUNT PIN DIODE
MMBV3401T-12K SURFACE MOUNT PIN DIODE
MMBV3401T-3K SURFACE MOUNT PIN DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
MMBTA93LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA93LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA94 制造商:Diotec Semiconductor 功能描述:
MMBTD55T1 制造商:Motorola 功能描述:55 MOT T/R
MMBTF04GWBCA-QME00 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:MEMORY, SDCARD, CLASS 4, 4GB, Data Rate:4Mbps, Memory Size:4GB, Memory Type:SD C