參數(shù)資料
型號： MMBTA64-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 26K
代理商： MMBTA64-7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA64 PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR
MMBV609LT3 UHF BAND, 20 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MMDL914-TP 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
MMDL914T1 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
MMSD101T1 SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA64-7-F 功能描述:達林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64LT1 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64LT1G 功能描述:達林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64LT3G 功能描述:達林頓晶體管 SS DL XSTR PNP 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA70LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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